GB/T 13539.4-2009 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
| 标准名称： | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 |
| 英文名称： | Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices |
| 中标分类： | 电工 >> 低压电器 >> 低压配电电器 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 电工器件 >> 熔断器和其他过载保护 |
| 替代情况： | 替代GB/T 13539.4-2005;GB/T 13539.7-2005 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-04-21 |
| 实施日期： | 2009-11-01 |
| 首发日期： | 1992-07-01 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340) |
| 提出单位： | 中国电器工业协会 |
| 归口单位： | 全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340) |
| 起草单位： | 上海电器科学研究所 集团有限公司、上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂等 |
| 起草人： | 季慧玉、吴庆云 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2009-11-01 |
| 页数： | 36页 |
| 计划单号： | 20076896-T-604 |
本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:
a) 熔断体的下列特性:
1) 额定值;
2) 正常工作时的温升;
3) 耗散功率;
4) 时间电流特性;
5) 分断能力;
6) 截断电流特性和犐2狋特性;
7) 电弧电压极限值。
b) 验证熔断体特性的型式试验;
c) 熔断体标志;
d) 应提供的技术数据(见附录B)。
没有内容
前言Ⅰ 1 总则1 2 术语和定义2 3 正常工作条件2 4 分类3 5 熔断器特性3 6 标志5 7 设计的标准条件6 8 试验6 附录A (资料性附录) 熔断体和半导体设备的配合导则16 附录B (规范性附录) 制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体 的资料20 附录C (规范性附录) 半导体设备保护用标准化熔断体示例21
下列文件中的条款通过GB/T13539的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
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